有关心三星Galaxy S8/S8 的读友，应当都了解，尽管中国发行版用的是骁龙835CPU，可是在韩、台、欧等地域确是用自己的Exynos 8895，零配件与中国发行版比照基本一致，可是这一猎户座集成ic的特性却显著比骁龙处理器矮一节。“一机双配”，两部手机上的整体特性非常。
这类事实际上三星没少干，在S8上都还没很大的异议，可是在上年的Galaxy S7上，不清楚大家还会继续还记得不：骁龙820版本号为了更好地与Exynos 8890维持同样的电池充电输出功率，竟然弃用高通芯片QC3.0快充协议，仅适用QC2.0。-_-|||||了解家里的集成ic耗能操纵更强、有更强的续航能力，可是猎户座的FAST CHARGE电池充电输出功率的确不比QC3.0啊……
2020年三星2018版Galaxy A8/A8 也将要在中国公布，此前在国外公布的版本号所应用的CPU是Exynos 7885。而中国版的Galaxy A8，很有可能会改成骁龙处理器芯。不相信？下边小兽再举个事例：
17年三星公布的新版本Galaxy A7，可视作A8的“前一代”。为何是“新版本”呢？原先A7这个手机上，竟然有三个时代的不一样版本号！在其中16年韩国版的A7与十五年中国发行的A7仍然是维持大致不会改变的前提条件下，应用二种CPU——Exynos 7870 & 骁龙615。这两个集成ic仍然是在特性上可以说“对比”，关键点的地方危成关系高矮。
针对中国发行版，这次Galaxy A8 2018的骁龙处理器版会比猎户座版晚出，小兽猜想，很有可能是由于可能用在中国发行版的这颗骁龙处理器芯——还未宣布现身？
使我们再进一步比照一下A7（2016版）、S7、S8的三套“双配备”。
Galaxy A7 2016：
欧韩国版A7，猎户座Exynos7580，20nm HKMG生产制造加工工艺，八核A53，頻率为1.5GHz，运行内存为双通道内存LPDDR3-933，互联网基带芯片LTE Cat.4。
中国发行版A7，高通芯片骁龙615，28nm LP生产制造加工工艺，四核A53 四核A53，頻率为1.7GHz/1.2GHz，运行内存为多通道LPDDR3-800，互联网基带芯片LTE Cat.4。
Galaxy S7：
欧韩国版S7，猎户座Exynos8890，14nm LPP生产制造加工工艺，四核M1 四核A53，頻率为2.8GHz/1.5GHz，运行内存为双通道内存LPDDR4-1800，互联网基带芯片LTE Cat.12（免费下载）/Cat.13（提交）。
中国发行版S7，高通芯片骁龙820，14nm FinFET生产制造加工工艺，2核Kryo 2核Kryo，頻率为2.15GHz/1.59GHz，运行内存为双通道内存LPDDR4-1866，互联网基带芯片LTE Cat.12（免费下载）/Cat.13（提交）。
Galaxy S8：
欧韩国版S8，猎户座Exynos8895，10nm FinFET生产制造加工工艺，四核M2 四核A53，頻率为2.5GHz/1.7GHz，运行内存为双通道内存LPDDR4X，互联网基带芯片LTE Cat.16（免费下载）/Cat.13（提交）。
中国发行版S8，高通芯片骁龙835，10nm FinFET生产制造加工工艺，四核Kryo 280 四核Kryo 280，頻率为2.45GHz/1.9GHz，运行内存为双通道内存LPDDR4X-1866，互联网基带芯片LTE Cat.16（免费下载）/Cat.13（提交）。
可以看出，世界各国的2个版本号，虽然有不一样CPU，可是CPU特性基础差不多。
而针对韩国版Galaxy A8 所应用的Exynos7885：14nm 生产制造加工工艺，2核A73 六核A53，頻率为2.2GBHz。会比骁龙625的八核A53（14nm/2.0GHz）强一点，却又比骁龙660的四核Kryo 260 四核Kryo 260（14nm/2.2GHz）低一点。因此小兽觉得，骁龙处理器暂时没有合适的、对比Exynos7885的CPU。
很有可能未来三星会考虑到下骁龙处理器2018的S640吧？2核Kryo 360 Gold 六核Kryo 360 Sliver，小兽看见蛮相配的~便是不清楚特性如何。
【一机双配】，小兽用这个词来描述三星，不清楚大家会愿意吗？何不让中国发行版Galaxy A8来认证一下？
（正文已结束）
推荐阅读：重庆信息港
免责声明及提醒：此文内容为本网所转载企业宣传资讯，该相关信息仅为宣传及传递更多信息之目的，不代表本网站观点，文章真实性请浏览者慎重核实！任何投资加盟均有风险，提醒广大民众投资需谨慎！